ВУЗ:
Рубрика:
примеси (замещения, внедрения, вычитания), связанные и ре-
зонансные состояния дефектов, взаимодействие дефектов,
комплексные центры, пересыщение кристалла дефектами,
идеальные и неидеальные дефекты, эффект Яна - Теллера,
U
+
(U
-
) – центры.
4. Линейные дефекты
Дислокации как нарушения кристаллической решетки, при-
чины образования дислокаций (пластическая деформация при
росте кристаллов и их обработке, эпитаксия, легирование хи-
мическими примесями, радиационное воздействие); краевые
дислокации, винтовые дислокации, дислокации несоответст-
вия, малоугловые границы, двойникование, дислокационные
плоскости, поля напряжений и энергия деформации, вектор
Бюргерса, барьер Пайерлса, равновесные и
неравновесные
дислокации, электронные свойства дислокаций, влияние дис-
локаций на свойства (электропроводность, фотоэлектрические
свойства, рекомбинация носителей заряда) полупроводников
и полупроводниковых приборов, закрепление уровня Ферми в
полупроводниках при пластической деформации.
5. Двумерные дефекты Плоские дефекты, границы кристаллитов (зерен), малоугло-
вые и высокоугловые границы, двойники, дефекты упаковки,
поверхность кристалла, электронная структура границ, свой-
ства границ раздела (электропроводность, фото-
вольтаический эффект (ФВЭ), аномальный (АФВЭ), транзи-
сторный эффект, диффузия примесей по границам, сегрегация
химических примесей), микротрещины
6. Объемные дефекты Кластеры собственных дефектов и химических примесей, об-
разование кластеров (легирование химическими примесями,
радиационное воздействие, "искусственные" кристаллы),
форма кластеров, электронная структура кластеров, влияние
кластеров на свойства полупроводников
, каверны
III. Распределение часов курса по темам и видам работ
Аудиторные занятия (час)
в том числе
№
пп
Наименование
темы
Всего
часов
лекции семинары
лаборатор.
занятия
Самостоя-
тельная
работа
1 Введение 2 2
2 Классификация де-
фектов, типы дефек-
тов
6 6 3
3 Точечные дефекты 6 6 2
4 Линейные дефекты 6 6 2
5 Двумерные дефекты 6 6 2
6 Объемные дефекты 6 6 2
ИТОГО 43 32 11
IV. Форма итогового контроля
Экзамен
V. Учебно-методическое обеспечение курса
