Руководство к лабораторным работам по курсам "Материаловедение и материалы электронных средств", "Материалы и элементы электронной техники", "Материалы электронной техники". Джуплин В.Н - 20 стр.

UptoLike

20
пропорционально механическому напряжению, а также меняет знак вместе с
ним.
Обратный пьезоэффектизменение размеров (из-за возникновения
напряжение в сегнетоэлектрике) под действием приложенного к нему
электрического поля. При обратном пьезоэффекте возникают деформации
(сжатие, растяжение и др.) пьезоэлемента. Величина механического напряжения
и деформации пропорциональна напряженности поля.
Величина пьезоэффекта сегнетоэлектриков зависит
от технологической
предыстории образца. Например, поликристаллические образцы титаната
бария, которые после охлаждения ниже температуры Кюри не подвергались
воздействию внешнего электрического поля, не обладают пьезоэлектрическими
свойствами. Это является следствием хаотического расположения кристаллов в
образце и наличия в них доменов с различным направлением спонтанной
поляризации. Под влиянием внешнего электрического поля происходит
переориентация в
доменах, что приводит к появлению результирующей
поляризации образца в целом. После выключения внешнего поля в титанате
бария сохраняется остаточная поляризация.
2.3. Лабораторный стенд и методика испытаний
В настоящей работе свойства сегнетоэлектриков исследуются
осциллографическим методом на промышленной частоте. Схема установки
приведена на рис 2.6, где использованы следующие обозначения: G1-
регулируемый генератор переменного напряжения; PV1 – вольтметр для
измерения входного напряжения, R1, R2 – делитель напряжения;
С
01
-
образцовый конденсатор для градуировки осциллографа; С
02
- образцовый
конденсатор большой емкости; PV2 – ламповый милливольтметр для измерения
падения напряжения на
С
02
, N – осциллограф, С
x
- испытуемый
сегнетоэлектрический конденсатор.
Рис. 2.6. Схема лабораторного стенда
Для исследования сегнетоэлектриков по петлям гистерезиса на
горизонтальный вход осциллографа (вход) подается напряжение с резистора R1,
пропорциональное полному напряжению на входе схемы, измеряемому
вольтметром PV1. Приложенное напряжение падает в основном на испытуемом