ВУЗ:
Составители:
22
Построить зависимость статической диэлектрической проницаемости от
напряженности электрического поля
)(
max1
Ef
ст
=
ε
. Для этого по измеренным
данным таблицы 1 вычислить значения статической емкости С
ст
и
статистической диэлектрической проницаемости ε
ст
по формулам:
S
hC
U
Q
C
ст
стст
⋅
⋅
==
0max1
;
ε
ε
,
где
S – площадь электродов сегнетоэлектрического конденсатора;
ε
0
=8,85⋅10
-12
Ф/м – электрическая постоянная.
2.3.4. Снятие температурной зависимости диэлектрической
проницаемости в слабом электрическом поле
Установить напряжение U
1
равное 10 В. Включить нагреватель. Через
каждые 5
0
С фиксируйте значения напряжения U
2
; данные занесите в таблицу 2.
Таблица 2
Т,
0
С U
2
, В
С
эфф
, Ф
ε
нач
Для построения температурной зависимости начальной диэлектрической
проницаемости
)(Tf
нач
=
ε
по данным таблицы 2 необходимо:
а) вычислить значение эффективной емкости исследуемого
сегнетоэлектрического конденсатора по формуле:
1
202
U
UС
C
эфф
⋅
=
;
б) определить начальную диэлектрическую проницаемость при
различных температурах по формуле:
S
hC
эфф
нач
⋅
⋅
=
0
ε
ε
Здесь ε
0
=8,85⋅10
-12
Ф/м, h и S – размеры исследуемого конденсатора.
По максимуму зависимости
)(Tf
нач
=
ε
определить точку Кюри
исследуемого сегнетоэлектрика.
2.5. Контрольные вопросы
1. Каковы отличительные особенности сегнетоэлектриков? Назовите области
применения сегнетоэлектриков.
2. Почему на экране осциллографа можно наблюдать зависимость Q=f(U) для
исследуемого сегнетоэлектрического конденсатора?
3. Какие параметры сегнетоэлектрика можно определить с помощью петли
гистерезиса?
4. Что называется точкой Кюри? Почему в точке Кюри диэлектрическая
проницаемость
максимальна?
5. Что характеризует площадь, ограниченная гистерезисной петлей? Как она
изменится с увеличением температуры?
6. Объясните ход зависимостей
)(),(
1max1
EfEf
эфст
=
=
ε
ε
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »
