Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 80 стр.

UptoLike

Составители: 

80
4.1.2. Выбор параметров резонаторов на ПАВ
Обсудим процедуру выбора параметров топологии резонаторов с
помощью номограмм, приведенных на рис. 4.5. Отметим, что при
заданном числе звеньев и полосе пропускания фильтра выбранный
коэффициент прямоугольности определяет уровень внеполосного
подавления.
На первом этапе при заданных F
C
/ F
0
и K
P
определяется отно'
шение C
D
/ C
0
для резонатора из параллельной ветви (см. рис. 4.5, а).
Отметим, что выбранные значения должны находиться в поле но'
мограммы. В противном случае фильтр на ПАВ – эквивалент лест'
ничного фильтра нереализуем или, по крайней мере, качественная
характеристика фильтра негарантирована.
Затем, на пересечении линии заданного C
D
/ C
0
сплошными лини'
ями для ряда значений числа электродов в резонаторе на ПАВ, мож'
но определить возможные толщины пленки Al – электродов ВШП
и ОС (см. рис. 4.5, б).
В качестве примера на рис. 4.5 показан выбор параметров фильтра
с центральной частотой 392 МГц, полосой F
C
= 18,5 МГц, F
C
/ F
0
= 4,7%
и K
P
= 1,3. Возможные значения числа электродов ВШП
в резонаторе из параллельного плеча, следующие из рис. 4.5, б для
C
D
/ C
0
= 0,0643 в зависимости от толщины пленки Al или из реше'
ния уравнения (4.7) изображены в виде графика на рис. 4.6.
Рис. 4.6. Возможные значения числа электродов ВШП резонатора из
параллельного плеча фильтра и соответствующие им
толщины пленки Al
351
301
251
201
151
101
51
0,937 0,814 0,691
N
Толщина пленки Al, мкм