Элементы систем автоматики (силовой канал). Доманов В.И - 80 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

правильном управлении составляет десятки нс и определяется прежде всего
скоростью заряда/разряда емкости затвор-коллектор от управляющего
источника.
Рис. 3.6. Эквивалентная динамическая
схема IGВТ-транзистора
Время нарастания тока для
нагрузки лежит в пределах 50 нc
и определяется скоростью заряда
емкости затвор-эмиттер от
управляющего источника
и индуктивностью выводов корпуса
транзисторов и токоподводящих
проводников.
Биполярный транзистор
в структуре IGBT не насыщается и
поэтому не имеет времени
рассасывания, однако при запирании
имеется «хвост», когда транзистор
уже выключен, но часть тока еще
протекает в пределах 100 нc.
Таким образом, основные преимущества IGBT-транзисторов выражаются
в следующем:
-высокая плотность тока и стоимость, близкая к биполярному
транзистору;
-простота и экономичность управления (динамические потери на
управление меньше, чем у МОП);
-практически прямоугольная область безопасной работы, исключающая
необходимость в схемах формирования траектории переключения;
-более низкие потери в режимах импульсных токов (потери IGBT
пропорциональны току, МОП - квадрату тока);
-динамические характеристики: у новых транзисторов приближаются
к МОП, при этом отсутствие внутреннего паразитного обратного диода
позволяет применить внешний быстрый диод;
-возможность параллельного соединения на общую нагрузку.
Основным недостатком IGBT является сравнительно большое время
выключения. Однако для преобразователей в системах электропривода это не
является ограничением, так как частоты выбираются значительно меньше.
Область применения IGBT, в которой они качественно превосходят как
МОП, так и биполярные транзисторы, характеризуется:
-по напряжению питания - выше 300 В;
-по токам нагрузки - от 1 А;
-по частоте переключения - до 50 кГц.
Если преобразователь работает в этой области, то следует использовать
IGBT.
80

Страницы