ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
При выборе транзистора обычно руководствуются соображениями запаса
по предельным токам, быстродействию и напряжению.
Как и МОП, IGBT-транзистор - прибор, управляемый напряжением.
Рассмотрим особенности управления для случая полумоста с индуктивной
нагрузкой (рис. 3.7). Показаны паразитные индуктивности проводов;
конструкцию следует строить так, чтобы управляющие токи и токи нагрузки
протекали по различным цепям.
Резистор R1 - внутреннее сопротивление управляющего источника, R2
ограничивает скорость нарастания напряжения при включении для:
- снижения импульсного тока рассасывания диода противоположного
плеча и исключения, благодаря этому, цепей формирования траектории
переключения;
и протекания сквозного тока.
Диод шунтирует R2 во время выключения транзистора.
После коммутации управляющего напряжения U1, вначале разряжается
емкость транзистора Т1, и напряжение на затворе начинает снижаться со
скоростью, определяемой током запирания через R1 и в момент, когда
напряжение достигает порога, транзистор начинает запираться, изменение
напряжения на затворе в это время прекращается. Скорость запирания
транзистора определяется скоростью заряда от управляющего
источника, т. е. величиной R1 или уровнем ограничения запирающего тока от
источника U1. Когда напряжение на нагрузке становится меньше минуса
питания, открывается диод Д2, и начинает уменьшаться ток транзистора со
Рис. 3.7. Полумостовая схема с индуктивной нагрузкой
- исключения открывания противоположного транзистора от
81
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 79
- 80
- 81
- 82
- 83
- …
- следующая ›
- последняя »
