Элементы и устройства твердотельной электроники в примерах и задачах. Дудкин В.П - 21 стр.

UptoLike

Составители: 

21
2.16. Какое напряжение нужно приложить к варикапу, характеристика
управления которого приведена на рис.2.7, чтобы общая емкость варикапа
и параллельно подключенного к нему конденсатора емкостью 100 ПФ
составила 150 пФ?
Ответ: 23 В.
Рис. 2.6 Рис. 2.7
2.17. Барьерная емкость полупроводникового диода с резким p-n-
переходом составляет 25 пФ при обратном напряжении 5 В. Определить
уменьшение емкости при снижении обратного напряжения до 7 В.
Ответ: 4 пФ.
2.18. Рассчитать простейшую схему без фильтра (рис. 2.8) для
выпрямления синусоидального напряжения с действующим значением 700 В,
используя диоды Д 226Б с U
ОБР MAX
=300 В.
Ответ: n=5, R
Ш
=333 кОм.
2.19. Сплавной диод работает в простейшей схеме выпрямления с
резистором нагрузки 10 кОм. Диод имеет следующие параметры:
R
Ш
R
Ш
R
Ш
Д
1
Д
2
Д
n
R
Н
Рис 2.8
С , пФ
100
50
U
ОБР
, В 40 30 20 10 0
С
~3В
+
20В
-
10 кОм
~3В
+
20В
-
10 кОм
                                             21
       2.16. Како е нап р яж ени е ну ж но п р и ло ж и тьквар и кап у , хар актер и сти ка
у п р авлени я ко то р о го п р и ведена на р и с.2.7, что бы о бщ ая емко стьвар и кап а
и п ар алл ельно п о дклю ченно го кнему ко нденсато р а емко стью 100 П Ф
со стави ла 150 п Ф ?
О твет: 23 В.
                                                                                      С , пФ


                10 к О м                                                                       100
                                   С
         ~3В

         +                                                                                     50
         20В
         -
                                                      UО   БР   ,В    40 30      20   10       0



             Р ис. 2.6                                               Р ис. 2.7

        2.17. Б ар ьер ная емко сть п о л у п р о во дни ко во го ди о да с р езки м p-n-
п ер ехо до м со ставляет 25 п Ф п р и о бр атно м нап р яж ени и 5 В. О п р едели ть
у меньш ени е емко сти п р и сни ж ени и о бр атно го нап р яж ени я до 7 В.
О твет: 4 п Ф .
       2.18. Рассчи тать п р о стейш у ю схему без фи льтр а (р и с. 2.8) дл я
вы п р ямлени я си ну со и дал ьно го нап р яж ени я с действу ю щ и мзначени ем700 В,
и сп о льзу я ди о ды Д 226Б с UО Б Р MAX=300 В.
О твет: n=5, RШ =333 кО м.



                              RШ            RШ                           RШ

                                                       …
                                Д1          Д2                            Дn

                                       RН
                                                  Ри с 2.8



    2.19. Сп лавно й ди о д р або тает в п р о стейш ей схеме вы п р ямлени я с
р ези сто р о мнагр у зки 10 кО м. Д и о д и меетследу ю щ и е п ар аметр ы :