ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
23
3. БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ . ТРАНЗИСТОРНЫЕ
КАСКАДЫ
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя
взаимодействующими выпрямляющими электрическими переходами и тремя
( или более) выводами , усилительные свойства которого обусловлены
явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные
свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим
через проводящий канал , и управляемым электрическим полем.
В последние годы выпускаются также транзисторы, сочетающие свойства
биполярных и полевых транзисторов (IGBT, БТИЗ – биполярный транзистор
с изолированным затвором).
В зависимости от типа электропроводности слоев различают транзисторы
p-n-p и n-p-n типов.
Переход, к которому при нормальном включении приложено прямое
напряжение, называют эмиттерным, а соответствующий слой (электрод) –
эмиттером. Средний слой называют базой. Второй переход, смещенный
приложенным напряжением в обратном направлении, называют
коллекторным, а соответствующий слой (электрод) – коллектором.
Существует нормальное и инверсное включение транзистора. Инверсное
или обратное включение – это включение, при котором эмиттерный переход
включен в обратном направлении, а коллекторный – в прямом. При этом
параметры реального транзистора существенно отличаются от параметров
при нормальном включении.
В зависимости от технологии изготовления транзистора концентрация
примесей в базе может быть распределена равномерно или неравномерно .
При равномерном распределении внутреннее электрическое поле
отсутствует, и неосновные носители заряда, попавшие в базу , движутся в ней
вследствие процесса диффузии. Такие транзисторы называют
диффузионными или бездрейфовыми .
При неравномерном распределении концентрации примесей в базе
имеется внутреннее электрическое поле (при сохранении в целом
электронейтральности базы ), и неосновные носители заряда движутся в ней в
результате дрейфа и диффузии, причем дрейф играет доминирующую роль.
Такие транзисторы называют дрейфовыми .
В результате снижения потенциального барьера p-n-перехода эмиттер -
база дырки из области эмиттера диффундируют через p-n-переход в базу
( инжекция дырок), а электроны из области базы в эмиттер (схема с общей
базов). Так как удельное сопротивление базы высокое (т.е. концентрация
примесей не высока ), то дырочный поток больше электронного . Для
количественной оценки составляющих тока используют коэффициент
инжекции [1,2 ]
23 3. Б И П О Л Я Р Н Ы Е И П О Л Е В Ы Е Т РАН ЗИ С Т О Р Ы . Т Р АН ЗИ С Т О Р Н Ы Е КАС КАД Ы Б и п о л яр ны й тр анзи сто р – это п о л у п р о во дни ко вы й п р и бо р с дву мя взаи мо действу ю щ и ми вы п р ямляю щ и ми электр и чески ми п ер ехо дами и тр емя (и ли бо л ее) вы во дами , у си ли тельны е сво йства ко то р о го о бу сло влены явл ени ями и нж екц и и и экстр акц и и нео сно вны хно си тел ей зар яда. П о лево й тр анзи сто р – это п о л у п р о во дни ко вы й п р и бо р , у си л и тельны е сво йства ко то р о го о бу сл о влены п о то ко м о сно вны х но си тел ей, п р о текаю щ и м чер езп р о во дящ и й канал, и у п р авл яемы мэлектр и чески мп о л ем. В п о следни е го ды вы п у скаю тся такж е тр анзи сто р ы , со четаю щ и е сво йства би п о ляр ны х и п о левы х тр анзи сто р о в (IGBT, Б ТИ З – би п о ляр ны й тр анзи сто р с и зо ли р о ванны мзатво р о м). В зави си мо сти о тти п а эл ектр о п р о во дно сти сло ев р азл и чаю ттр анзи сто р ы p-n-p и n-p-n ти п о в. П ер ехо д, к ко то р о му п р и но р мально м вклю чени и п р и ло ж ено п р ямо е нап р яж ени е, назы ваю т эми ттер ны м, а со о тветству ю щ и й сло й (эл ектр о д) – эми ттер о м. Ср едни й сл о й назы ваю т базо й. Вто р о й п ер ехо д, смещ енны й п р и ло ж енны м нап р яж ени ем в о бр атно м нап р авлени и , назы ваю т ко лл екто р ны м, а со о тветству ю щ и й сло й (электр о д) – ко лл екто р о м. Су щ еству етно р мал ьно е и и нвер сно е вклю чени е тр анзи сто р а. И нвер сно е и ли о бр атно е вклю чени е – это вклю чени е, п р и ко то р о м эми ттер ны й п ер ехо д вкл ю чен в о бр атно м нап р авл ени и , а ко лл екто р ны й – в п р ямо м. П р и это м п ар аметр ы р еал ьно го тр анзи сто р а су щ ественно о тли чаю тся о т п ар аметр о в п р и но р мально мвклю чени и . В зави си мо сти о т техно ло ги и и зго то влени я тр анзи сто р а ко нц ентр ац и я п р и месей в базе мо ж етбы тьр асп р еделена р авно мер но и ли нер авно мер но . П р и р авно мер но м р асп р еделени и вну тр еннее электр и ческо е п о л е о тсу тству ет, и нео сно вны е но си тели зар яда, п о п авш и е в базу , дви ж у тся в ней всл едстви е п р о ц есса ди ффу зи и . Таки е тр анзи сто р ы назы ваю т ди ффу зи о нны ми и ли бездр ейфо вы ми . П р и нер авно мер но м р асп р едел ени и ко нц ентр ац и и п р и месей в базе и меется вну тр еннее электр и ческо е п о ле (п р и со хр анени и в ц ело м электр о нейтр ально сти базы ), и нео сно вны е но си тели зар яда дви ж у тся в ней в р езу л ьтате др ейфа и ди ффу зи и , п р и чем др ейф и гр ает до ми ни р у ю щ у ю р о ль. Таки е тр анзи сто р ы назы ваю тдр ейфо вы ми . В р езу л ьтате сни ж ени я п о тенц и ально го бар ьер а p-n-п ер ехо да эми ттер - база ды р ки и з о бласти эми ттер а ди ффу нди р у ю т чер ез p-n-п ер ехо д в базу (и нж екц и я ды р о к), а эл ектр о ны и з о бласти базы в эми ттер (схема с о бщ ей базо в). Так как у дел ьно е со п р о ти вл ени е базы вы со ко е (т.е. ко нц ентр ац и я п р и месей не вы со ка), то ды р о чны й п о то к бо л ьш е электр о нно го . Д ля ко ли чественно й о ц енки со ставляю щ и х то ка и сп о льзу ю т ко эффи ц и ент и нж екц и и [1,2 ]
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »