ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
17
5. Влияние температуры на пробой p‐n перехода при различных его
механизмах.
6. Влияниетемпературынаосновныеэлектрическиепараметрыбиполярныхи
полевыхтранзисторов.
2.5.Работа5.Исследованиемоделиp ‐n‐p ‐nструктур
Цель работы: изучить физические процессы,происходящиевp‐n‐p ‐n
структурах,условияихпереключенияимеханизмыформирования
характеристик. Ознакомиться со схемами снятия характеристик p‐n‐p‐n
структуритребованиями,предъявляемыекэлементамсхем.
Подготовительная часть работы:изучитьтеориюработыp‐n‐p‐n
структур и механизм формирования их характеристик.Ознакомитьсяс
режимами работы p‐n‐p‐nструктур,схемамиснятияиххарактеристики
мерами, исключающими выход из строя измерительных приборов при
переключенииp‐n‐p‐nструктур
.
Экспериментальная часть работы: исследуемая p‐n‐p‐nструктура
составленаиздвухтранзисторов:n‐p‐n(МП101)иp‐n‐p(МП104)иразмещенав
отдельном блоке,которыйчерезвосьмиштырьковый цоколь соединяется с
лабораторнымстендом. Параметры структуры (напряжениевключения
и
ток включения
) определяются величинами резисторов , R2и R3.Ток
управления в базу p‐n‐p‐n структуры задается резистором RI.Втомжеблоке
собранстабилизатортокадляснятияВАХструктуры.Схемаблокаприведенана
рис.12.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »