ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
19
Собратьсхемурис.14иснятьВАХp‐n‐p‐nструктурыпри
=0.Дляэтого
припостоянном
(около50В)резисторомR6(рис.12)изменятьтокчерез
p‐n‐p‐nструктуру.Значения
задаватьравными2кОми4кОм.
АналогичноснятьВАХp‐n‐p‐nструктурыпри
≠0.Дляэтогосоединить
выводы 6и7стенда.Токуправленияp‐n‐p‐nструктурыопределятьпо
формуле
=( ‐0,6В)/RI.
Значения
сохранятьпрежними(2кОми4кОм).
Пополученнымданнымпостроитьхарактеристикиp‐n‐p‐nструктуры.
Результатыпредставитьдляконтроляпреподавателю.
Контрольныевопросы:
1. Назначениеиэквивалентнаясхемаp‐n‐p‐nструктуры.
2. Видыиусловныеграфическиеобозначенияp‐n‐p‐nструктур.
3. ВАХp‐n‐p‐nструктурсуправляющимэлектродомибезнего.
4. Электрическиепараметрыp‐n‐p‐nструктур.
Рис.14
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »