ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
тери на гистерезис возмещаются за счет энергии переменного поля, а полезная
намагниченность создаётся постоянным полем в отсутствии таких потерь. На
рис. 1.2 приведены зависимости остаточной намагниченности от напряженности
постоянного поля при идеальном намагничивании.
Из графиков видно, что дейст-
вие переменного поля приводит к
повышению чувствительности и
улучшению линейности процесса
намагничивания при малых (Н
=
).
При этом существует некоторое
предельное значение напряженно-
сти переменного поля (Н4
~
рис. 1.2),
превышение которого не сказыва-
ется на характеристике. Используя
графики, приведенные на рис. 1.2,
можно построить зависимости ос-
таточной намагниченности от вели-
чины (Н
~
) при (H
=
)=const (рис. 1.3).
Рис. 1.2. Характеристики идеального
намагничивания
В процессе записи элемент носителя испытывает в начале влияние нарас-
тающих, а затем спадающих по напряженности полей сигнала и ВЧП. Это приво-
дит к некоторому отличию характеристик намагничивания при записи с ВЧП от
характеристик идеального намагничивания (рис. 1.4).
Рис. 1.3. Характеристики подмагничивания
при идеальном намагничивании
Из рис. 1.3 видно, что зависи-
мость остаточной намагниченно-
сти от напряженности переменного
поля при идеальном намагничива-
нии имеет выраженный участок
насыщения. Если рассмотреть за-
пись на магнитную ленту с ВЧП,
то намагничивание носителя осу-
ществляется полем рабочего зазо-
ра. Поле в рабочем зазоре макси-
мально в центре зазора и спадает у
его краев, при этом напряженность
поля сигнала изменяется по тому
же закону, что и напряженность
поля ВЧП.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
