Схемотехника. Часть 1. Дуров А.А - 58 стр.

     Добавление в полупроводниковый материал атомов ве-
ществ — активаторов — позволяет изменять в некоторых преде-
лах цвет излучения диода, что очень важно при подборе материа-
лов для оптронов.
     Рекомбинация электронов и дырок. происходящая в полу-
проводниковой p-n-структуре, необязательно связана с излучени-
ем фотона. Значительная часть актов рекомбинации заканчивает-
ся выделением энергии в виде элементарных квантов тепловых
колебаний кристаллической решетки (фононов). В современных
светоизлучающих диодов только несколько процентов электри-
ческой энергии преобразуется в световую.
     Характеристикой диода как источника света является зави-
симость яркости от прямого тока — яркостная характеристика,
или зависимость силы света от прямого тока — световая характе-
ристика. При малых токах и, соответственно, малых напряжениях
на светоизлучающем диоде процесс излучения протекает неак-
тивно, поэтому начальный участок световой (яркостной) характе-
ристики нелинейный. При больших (более 5 мА) токах указанные
характеристики почти линейны.
     Вольтамперная характеристика светоизлучающего диода
аналогична ВАХ выпрямительного диода. Но поскольку для из-
готовления светодиодов используются материалы с большой ши-
риной запрещенной зоны, их ВАХ сдвинуты вправо. Нижний
предел    рабочего    напряжения      светодиодов   составляет
2,5…3,5 В, верхний предел напряжения определяется допустимой
мощностью рассеяния прибора.
     Основные параметры диодов сильно зависят от окружаю-
щей температуры. С увеличением температуры сила света, а так-
же падение напряжения на диоде уменьшаются.
     Светоизлучающие диоды имеют сравнительно большой раз-
брос параметров и характеристик от образца к образцу.
В справочниках приводятся, как правило, крайние значения па-
раметров, являющиеся критерием их годности при производстве.
В качестве примера на рис.6.1 приведены основные характери-
стики светодиода типа АЛ307.




                             58