Схемотехника. Часть 1. Дуров А.А - 59 стр.

                           Рис. 6.1

     Фотоэлектрический приемник излучения — фоточувстви-
тельный полупроводниковый прибор, принцип действия которого
основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике. К числу
фотоприемников относятся фоторезисторы, фотодиоды, фото-
транзисторы, фототиристоры и другие приборы.
     При облучении p-n-перехода увеличивается ток неосновных
носителей, то есть увеличивается обратный ток этого перехода.
     Устройство фотодиодов таково, что световой поток при ос-
вещении прибора направлен перпендикулярно плоскости перехо-
да. Поглощение фотона приводит к выходу носителей заряда из
валентной зоны в зону проводимости и их движению под дейст-
вием потенциального барьера p-n-перехода. При включении дио-
да в цепь в последней появляется небольшой ток даже при отсут-
ствии внешнего источника тока. Такой режим фотодиода получил
название генераторного. В этом режиме образуется фото-ЭДС,
предельно возможная величина которой равна контактной разно-
сти потенциалов, которая составляет десятые доли вольта. Вели-
чина фото-ЭДС связана с величиной светового потока логариф-
мической зависимостью. При больших световых потоках насту-
пает насыщение, и рост фото-ЭДС прекращается.
     Фотодиоды в генераторном режиме часто применяют в ка-
честве источников питания, преобразующих энергию солнечного
излучения в электрическую энергию. Теоретически достижимый

                              59