Схемотехника. Часть 1. Дуров А.А - 61 стр.

UptoLike

ментов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена
электрическая изоляция.
В резисторной оптопаре в качестве фотоприемного элемента
используется фоторезистор полупроводниковый резистор, со-
противление которого уменьшается при воздействии фотонов.
Излучателем может служить светоизлучающий диод или сверх-
миниатюрная лампочка накаливания. Резисторные оптопары
применяются в устройствах автоматического регулирования уси-
ления (АРУ) электронных усилителей.
В диодной оптопаре в качестве фотоприемника использует-
ся фотодиод на основе кремния, а излучателем служит инфра-
красный излучающий диод. В генераторном режиме на выходе
оптопары появляется фото-ЭДС величиной до 0,7 …0,8 В. Если к
фотодиоду оптопары приложено обратное напряжение более
0,5 В, то прибор будет работать в преобразовательном режиме.
Диодные оптопары как в генераторном, так и преобразова-
тельном режимах широко применяются в радиоэлектронных ав-
томатизированных устройствах, требующих высокой электриче-
ской развязки между элементами, а также в быстродействующих
коммутаторах информационно-измерительных систем.
Описание лабораторной установки
Схема для исследований представлена на рис.6.3.
Рис. 6.3.
В работе исследуется оптоэлектронная интегральная микро-
схема К293ЛП1А, в состав которой входит диодная оптопара,
операционный усилитель и логическое устройство.
Работа выполняется на лабораторном стенде К32, для сбор-
61
ментов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена
электрическая изоляция.
     В резисторной оптопаре в качестве фотоприемного элемента
используется фоторезистор — полупроводниковый резистор, со-
противление которого уменьшается при воздействии фотонов.
Излучателем может служить светоизлучающий диод или сверх-
миниатюрная лампочка накаливания. Резисторные оптопары
применяются в устройствах автоматического регулирования уси-
ления (АРУ) электронных усилителей.
     В диодной оптопаре в качестве фотоприемника использует-
ся фотодиод на основе кремния, а излучателем служит инфра-
красный излучающий диод. В генераторном режиме на выходе
оптопары появляется фото-ЭДС величиной до 0,7 …0,8 В. Если к
фотодиоду оптопары приложено обратное напряжение более
0,5 В, то прибор будет работать в преобразовательном режиме.
     Диодные оптопары как в генераторном, так и преобразова-
тельном режимах широко применяются в радиоэлектронных ав-
томатизированных устройствах, требующих высокой электриче-
ской развязки между элементами, а также в быстродействующих
коммутаторах информационно-измерительных систем.

               Описание лабораторной установки

    Схема для исследований представлена на рис.6.3.




                            Рис. 6.3.

    В работе исследуется оптоэлектронная интегральная микро-
схема К293ЛП1А, в состав которой входит диодная оптопара,
операционный усилитель и логическое устройство.
    Работа выполняется на лабораторном стенде К32, для сбор-

                             61