ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
является возможность изменения напряжения стабилизации. Так, напри-
мер, регулируемый прецизионный отечественный стабилитрон 142ЕН19
имеет напряжение стабилизации изменяемое в интервале от 2,5 до 36 В.
Регулировка напряжения осуществляется с помощью внешнего резистив-
ного делителя (рис.2.74).
Рис.2.74. Регулирование опорного напряжения в схеме с трехвыводным инте-
гральным источником ОН.
«Bandgap» источники опорного напряжения.
В основе схемы та-
кого источника лежит идея генерирования напряжения с температурным
коэффициентом, положительным и равным по абсолютной величине отри-
цательному температурному коэффициенту напряжения эмиттерного пе-
рехода транзистора U
бэ
.
При суммировании этого напряжения с U
бэ
полу-
чится напряжение с нулевым температурным коэффициентом.
Основой «генератора» требуемого напряжения является токовое зер-
кало (рис.2.75), у которого соотношение то-
ков I
упр
: I
вых
берется обычно порядка 10:1.
Применяя уже использованное ранее со-
отношение ∆U = φ
т
ln (I
К1
/I
К2
), где ∆U – раз-
ность падений напряжений на эмитте рных пе-
реходах согласованных транзисторов, можно
показать, что I
вых
имеет положительный тем-
пературный коэффициент.
В «Bandgap» источнике ОН управляю-
щий ток I
упр
преобразуется в напряжение с
помощью резистора, и это напряжение скла-
дывается с нормальным напряжением U
бэ
транзистора (рис.2.76). Резистор
R
2
задает величину напряжения, которое складывается с напряжением U
бэ
транзистора VT
3
и имеет положительный температурный коэффициент.
Температурный коэффициент источника ОН (рис.2.76) будет действи-
тельно нулевым, если U
R2
+ U
бэ
≈ 1,22 В (напряжение запрещенной зоны
кремния). Требуемое значение суммы напряжений достигается подбором
U
вх
+
R
1
I
оп
U
оп
R
2
R
3
U
ст
142ЕН19
U
оп
=
U
ст
(1+ R
2
/R
3
)+ I
ст
R
2
VT
1
VT
2
R
I
упр
I
вых
Рис.2.75. Токовое зеркало
с коэффициентом отраже-
ния, отличным от 1:1.
I
ст
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 77
- 78
- 79
- 80
- 81
- …
- следующая ›
- последняя »