Источники питания РЭА. Ефимов И.П. - 80 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

величины сопротивления R
2
. Ток I
упр
в этой схеме определяется резисто-
ром R
1
.
Рис.2.76. «Bandgap» источник опорного напряжения.
Известны также другие (более сложные) схемы источников ОН
«Bandgap» - типа. Однако для всех этих схем характерно суммирование
напряжения U
бэ
с напряжением, порождаемым токовым зеркалом, в кото-
ром токи транзисторов не равны друг другу.
ИМС «Bandgap» источников опорного напряжения представлены
очень широко. Например, недорогие схемы LM385-1.2 и LM385-2.5, пред-
ставляющие собой двухвыводные источники опорного напряжения на
1,235 и 2,5 В соответственно (с точностью ± 1%). Эти кристаллы сохра-
няют свои параметры до очень малых токов (порядка 10 мкА), что очень
важно для микромощных схем с питанием от химических источников тока.
Микросхема LM385 имеет температурный коэффициент не превы-
шающий 30⋅10
-6
/°С и типовое значение динамического сопротивления
≈ 1 Ом при токе 100 мкА. Это значительно лучше, чем параметры стабили-
тронов. Так, например, стабилитрон 1 N4370 (U
ст
=2,4В) имеет темпе-
ратурный коэффициент 800⋅10
-6
/°С и динамическое сопротивление более
300 Ом при токе 100 мкА. При этом значении тока 1N4370 не может обес-
печить паспортное значение напряжения стабилизации (1,1 В вместо тре-
буемых 2,4 В).
Еще большую стабильность имеют ИМС LT1029 (двухвыводная) и
REF–43 (трехвыводная). Температурный коэффициент данных кристаллов
не превышает 3⋅10
-6
/
0
С.
Также как и аналогичные стабилитронные микросхемы, трехвывод-
ные «Bandgap» кристаллы позволяют с помощью внешних резисторов из-
менить величину опорного напряжения (аналогично рис.2.74).
U
вых
I
упр
R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
R
6
VT
1
VT
2
VT
3
I
вых
+
─
DA
+U
п

Страницы