Источники питания. Ефимов И.П. - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

базы регулирующего транзистора VT
1
протекает через переход коллектор –
эмиттер VT
2
и зависит от разности указанных выше напряжений.
При увеличении выходного напряжения под действием дестабили-
зирующих факторов транзистор VT
2
открывается в большей степени, его
коллекторный ток возрастает, что приводит к возрастанию тока
коллектора VT
1
и увеличению падения напряжения на резисторе R
1
.
Последнее компенсирует увеличение выходного напряжения. При
уменьшении выходного напряжения, напротив, транзисторы VT
1
и VT
2
в
большей степени закрываются, что приводит к уменьшению падения
напряжения на резисторе R
1
и компенсации уменьшения выходного
напряжения.
2.6 Защита транзисторных стабилизаторов от короткого
замыкания в нагрузке
Короткое замыкание выхода является самым тяжелым режимом ра-
боты последовательного стабилизатора, так как в этом случае через регу-
лирующий (проходной) транзистор протекает наибольший ток при
наибольшем падении напряжения на нем (U
кэ
=U
вх
). Для предотвращения
повреждения стабилизатора применяют ряд схемотехнических решений.
Рассмотрим некоторые из них.
Довольно часто используется метод ограничения выходного тока в
случае короткого замыкания в нагрузке (рис. 2.41). Схема может быть ис-
пользована как регулирующий транзистор практически в любом транзи-
сторном стабилизаторе напряжения. Транзисторы VT
2
и VT
3
, включенные
по схеме Дарлингтона, образуют непосредственно сам регулирующий
(проходной) транзистор. Элементы VT
1
и R
1
составляют схему защиты. Ре-
зистор R
1
выполняет функцию датчика тока (напряжение на нем пропор-
ционально току нагрузки). Падение напряжения на R
1
приложено к пере-
ходу база-эмиттер транзистора VT
1
и является прямым для этого перехода.
При допустимых токах нагрузки падение напряжения на R
1
недоста-
точно для открывания транзистора VT
1
(менее 0,6 В для кремниевого тран-
зистора), и схема защиты на работу проходного транзистора не оказывает
никакого влияния.
В случае увеличения значения выходного тока (более заданного уров-
ня) падение напряжения на R
1
достигает величины, достаточной для пере-
вода VT
1
в открытое состояние. При открывании транзистора схемы защи-
ты его открытый переход коллектор-эмиттер шунтирует переход база-
эмиттер составного регулирующего транзистора, ток базы которого значи-
тельно уменьшается, а следовательно, уменьшается и ток нагрузки.
Порог срабатывания защиты задается сопротивлением резистора R
1
.
Если в качестве R
1
использовать переменный резистор или набор дис-
кретно переключаемых сопротивлений, можно в требуемых пределах из-

Страницы