Источники питания. Ефимов И.П. - 50 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

I
к1
,I
к2
– коллекторные токи соответствующих транзисторов (VT
1
и VT
2
).
Коллекторный ток VT
1
:I
к1
=(U
пит
–U
бэ1
)/R
1
, где U
пит
– напряжение пита-
ния схемы защиты.
Рис.2.42. Уменьшение падения напряжения на резисторе-датчике тока.
Если через R
3
протекает ток меньший порогового I
пор
, то на нем па-
дает напряжение не более нескольких милливольт, то есть к эмиттерному
переходу транзистора VT
2
приложено практически такое же напряжение,
что и к одноименному переходу транзистора VT
1
(U
бэ1
≈U
бэ2
). Так как VT
1
и VT
2
идентичные по параметрам транзисторы, их коллекторные токи
примерно одинаковы (I
к1
≈ I
к2
). Однако из-за того, что R
2
>R
1
(обычно
R
2
=10⋅R
1
) транзистор VT
2
оказывается насыщенным, падение напряжения
на переходе база-эмиттер VT
3
минимальна, ионзакрыт. Закрытый транзи-
стор VT
3
на работу регулирующего составного транзистора влияния не
оказывает.
Если ток нагрузки превысит I
пор
падение напряжения на R
3
увели-
чится настолько, что согласно выражению ∆U=ϕ
т
⋅ln(I
к1
/I
к2
) приведет к
уменьшению I
к2
, запиранию транзистора VT
2
и открытию VT
3
. Переход
коллектор-эмиттер VT
3
при этом шунтирует управляющий эмиттерный
переход составного регулирующего транзистора. Таким образом, выход-
ной ток стабилизатора ограничивается.
Предположим, что на R
3
падает напряжение ≈ 60 мВ. Тогда по отно-
шению к напряжениям эмиттерных переходов транзисторов и напряжению
питания схемы защиты U
пит
им можно пренебречь. При этом величина
коллекторного тока транзистора VT
2
:I
к2
≈(U
пит
–U
бэ3
)/R
2
. Подставив со-
VT
1
U
пит
R
1
VT
2
VT
3
К
Э
Б
R
2
R
3
VT
4
VT
5
+

Страницы