ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
отношения, определяющие токи I
к1
и I
к2
, в вышеприведенное выражение
для ∆U получим:
1
2
R
R
ln∆U
Т
ϕ
= ,
так как U
бэ1
≈ U
бэ2
. Из последнего следует, что ∆U не зависит от напряже-
ния питания схемы. При R
2
/R
1
=10, величина ∆U=60±(1–3)мВ, то есть
порог срабатывания можно задавать с высокой точностью без какой-либо
последующей подгонки, в то время как в схеме (рис. 2.41) порог срабаты-
вания защиты может колебаться в пределах ±(10 – 20)%.
Так как величина термического потенциала ϕ
т
линейно зависит от
температуры,R
3
желательно изготавливать из медной проволоки или дру-
гого материала с температурным коэффициентом близким к температур-
ному коэффициенту ϕ
т
(+0,33%/°C).
Конденсатор С служит для предотвращения открывания транзистора
VT
3
при переходных процессах в схеме ( рекомендуемое значение емкости
конденсатора С=0,005 – 0,015 мкФ).
Если R
1
=15 кОм,R
2
=150 кОм,R
3
=0,6 Ом, то величина порогового то-
ка равна 0,1 А. Для другого значения I
пор
сопротивление резисторов R
1
и
R
2
рассчитываются так. Исходя из максимального входного тока защищае-
мого проходного транзистора I
вх
, определяют ток короткого замыкания I
кз
,
который может протекать через транзистор VT
3
в момент срабатывания
защиты:
21Э45
h
I
II
пор
вх
кз
−= ,
где h
21э45
– коэффициент передачи тока составного регулирующего тран-
зистора. Затем рассчитывают ток базы VT
3
I
бз
=I
кз
/h
21э3
ивыбираютсо-
противление R
2
таким образом, чтобы I
к2
в 5–10раз превышал ве-
личину I
бз
. Сопротивление резистора R
1
выбирают из соотношения
R
1
=0,1⋅R
2
. Следует отметить, что соотношение сопротивлений R
1
и R
2
мо-
жет быть и иным. При этом порог срабатывания защиты (напряжения на
R
3
) может изменяться от единиц до сотен милливольт.
Транзистор VT
3
может быть, и не согласован с транзисторами VT
1
и
VT
2
. Сами же транзисторы VT
1
и VT
2
должны быть согласованы. Поэтому
в качестве VT
1
и VT
2
крайне нежелательно использовать отдельные тран-
зисторы. Целесообразно использовать транзисторные сборки, представ-
ляющие собой наборы транзисторов, выполненных в едином кристалле.
На рис.2.43представлена схема стабилизатора, у которого в случае
короткого замыкания на выходе шунтируется источник опорного напря-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 49
- 50
- 51
- 52
- 53
- …
- следующая ›
- последняя »