Источники питания. Ефимов И.П. - 52 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

жения (стабилитрон VD
3
) и потенциал базы составного регулирующего
транзистора падает практически до потенциала земли (0 В).
Рис. 2.43. Последовательный стабилизатор с защитой от короткого
замыкания в нагрузке
.
К базе транзистора VT
1
приложено напряжение смещения ≈ 1,5 Вс
диодов VD
1
и VD
2
, которые совместно с резистором R
1
образуют делитель
входного напряжения. Опорное напряжение создается параметрическим
стабилизатором (R
2
,VD
3
) и с делителя напряжения (переменное сопротив-
ление R
3
) подается на базу составного регулирующего транзистора (VT
2
,
VT
3
).
В нормальных условиях (отсутствие короткого замыкания на выходе)
транзистор VT
1
закрыт, так как его переход база-эмиттер смещен в обрат-
ном направлении. Транзистор VT
1
на работу стабилизатора влияния не
оказывает, и схема функционирует аналогично стабилизаторам, рассмот-
ренным в п.2.5 «Компенсационные стабилизаторы».
При коротком замыкании выхода эмиттер VT
1
замыкается на землю
(общий «+»). Потенциал базы VT
1
относительно эмиттера становится от-
рицательным, и транзистор открывается, шунтируя своим переходом кол-
лектор−эмиттер стабилитрон VD
1
. Коллекторный ток VT
1
проходит через
резистор R
2
, падение напряжения на нем возрастает и уменьшается отри-
цательное смещение на базе составного проходного транзистора. Это при-
водит к закрытию регулирующего транзистора и резкому уменьшению вы-
ходного тока.
На рис.2.44показана схема стабилизатора с динисторной защитой.
Резистор R
3
выполняет функцию датчика тока.
Параметрический стабилизатор образован элементами R
5
и VD
4
. На-
грузкой этого стабилизатора является база составного регулирующего
транзистора (VT
2
,VT
3
).
U
вх
VT
2
VT
3
VT
1
VD
1
R
1
U
вых
+
−
VD
2
R
2
R
3
R
4
−
+
R
н
VD
3

Страницы