Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 45 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

а б

Рис.2.1. Энергетический спектр электронов в изолированных атомах натрия (а) и

атомах натрия, сближенных на расстояния порядка параметра решетки (б)

Во-первых, при сближении атомов потенциальные кривые, ха-

рактеризующие поведение электронов в изолированных атомах, час-

тично перекрываются, что ведет к понижению потенциального барье-

ра, разделяющего соседние атомы.

Как показано на рис.2.1, б, максимум результирующей по-

тенциальной кривой оказывается даже ниже энергетического

уровня валентных 3s-электронов атомов натрия. Перекрытие вол-

новых функций этих электронов настолько сильно, что они дают

электронное облако практически равномерной плотности.

Во-вторых, при сближении атомов уменьшается и ширина

барьеров, разделяющих соседние атомы. Поэтому возникает воз-

можность перехода электрона от атома к атому за счет туннельно-

го эффекта.

Таким образом, в процессе образования твердого тела проис-

ходит обобществление электронов внешних оболочек атомов, при-

чем валентные электроны обобществляются полностью, так что ве-