Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 47 стр.

UptoLike

мени:
τ
h
Е Δ
, где W - длительность пребывания электрона
вблизи ядра некоторого атома (неопределенность во време-
ни, когда происходит туннельный переход электрона от
атома к атому) и для валентных электронов составляет, как
правило, величину порядка 1эВ.
Учитывая, что в кристалле объемом 1 см
3
содержится
10
22
атомов, расстояние между уровнями в зоне ~ 10
-22
эВ. Столь
малая разность энергий уровней в зоне позволяет считать плот-
ность электронных состояний в энергетической зоне квазинепрерыв-
ной.
Поскольку вероятность туннелирования (величина 1/W) экспо-
ненциально сильно убывает с увеличением высоты и ширины потен-
циального барьера, ширина энергетических зон для внутренних элек-
тронов мала. Энергетический спектр этих необобществленных элек-
тронов, как уже отмечалось, остается практически таким же, как и в
изолированных атомах, то есть представляет собой дискретные энерге-
тические уровни. Электроны внутренних уровней можно считать ло-
кализованными на узлах решетки и рассматривать ядро вместе со
всеми внутренними электронами как единый атомный остов (ион
данного элемента).
47