Составители:
Рубрика:
В результате этого в запрещенной зоне вместо дискретного энер-
гетического уровня примеси появляется набор пространственно лока-
лизованных примесных уровней, что проявляется в так называемом
классическом (вследствие статистического усреднения) уширении
плотности состояний.
Наконец, при еще большем увеличении N
np
среднее расстояние
между примесными атомами становится соизмеримым с боровским
радиусом: r
0
>> <r>
≈
a
Б
. Такие полупроводники называют сильно
легированными.
У сильно легированного полупроводника примесные электро-
ны обобществляются (из-за появления перекрытия их волновых
функций), в результате чего возникает дополнительная зона разре-
шенных состояний - примесная зона, электроны в которой уже не
локализованы в пространстве. Такой вид уширения примесных со-
стояний называют квантовым.
Примесная зона в сильно легированных полупроводниках
обычно перекрывается с одной из разрешенных зон полупровод-
ника, в результате чего образуется так называемый хвост плотности
состояний. Фактически это ведет к существенному уменьшению за-
прещенной зоны полупроводника.
Рис.3.5. иллюстрирует описанные выше ситуации.
а б в
82
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 80
- 81
- 82
- 83
- 84
- …
- следующая ›
- последняя »
