Составители:
Рубрика:
Начиная с некоторой температуры T
i
, для которой имеет ме-
сто условие n
i
(T
i
)
≈
N
d
, концентрация носителей заряда начнет значи-
тельно нарастать с повышением температуры за счет собственных
носителей (рис.3.9).
Что же касается температур ниже температуры истощения, то
подстановка формулы (3.25) в выражение (3.15) дает следующую темпера-
турную зависимость концентрации свободных носителей заряда в примес-
ном полупроводнике:
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
Δ
−=
kT
E
NNTn
d
dC
2
exp)(
. (3.27 )
Таким образом, и в случае примесного полупроводника, темпера-
турная зависимость концентрации свободных носителей заряда линеа-
ризуется в координатах In n ~ 1/T, а наклон получаемой пря-
мой определяет глубину залегания донорного уровня ( рис.3.9).
Рис.3.9. Температурная зависимость концентрации свободных носителей
заряда в примесном полупроводнике
92
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 90
- 91
- 92
- 93
- 94
- …
- следующая ›
- последняя »
