Составители:
Рубрика:
Для сильно легированных полупроводников имеет место следующее
соотношение:
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
Δ
=
kT
E
npn
g
inn
exp
2
, (3.29)
где
Δ
E
g
- изменение ширины запрещенной зоны вследствие обра-
зования хвостов плотности состояний.
3.3. Подвижность носителей заряда в полупроводнике.
Температурная зависимость проводимости полупроводника
Предположим, что к кристаллу полупроводника приложено
электрическое поле. На зонной диаграмме это проявляется в наклоне
энергетических уровней электронов, в том числе краев зон, причем тан-
генс угла наклона пропорционален напряженности поля, а смещение
уровня между двумя данными точками объема полупроводника -
разности потенциалов между ними (рис.3.10).
Заметим, что энергетические диаграммы строятся для электронов,
так что энергия электрона растет с повышением энергетических уров-
ней на диаграмме, а энергия дырок, наоборот, увеличивается с пони-
жением энергетических уровней. Увеличению потенциала, таким
образом, соответствует понижение энергетических уровней.
б
Рис.3.10 . Движение электрона в
полупроводнике под воздейст-
вием внешнего электрического по-
ля (а); энергетическая диаграмма
полупроводника при приложении к
нему электрического поля ( б)
94
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 92
- 93
- 94
- 95
- 96
- …
- следующая ›
- последняя »
