Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 95 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

В течение промежутка времени, равного в среднем времени релак-

сации

, электроны ускоряются вдоль направления поля. Направленное

движение носителей под воздействием не слишком сильного поля пред-

ставляет собой небольшое возмущение хаотического теплового движе-

ния.

Поэтому τ практически не зависит от напряженности поля.

Электронный газ в полупроводнике, как уже отмечалось, явля-

ется невырожденным, то есть описывается статистикой Максвелла-

Больцмана. Функция распределения носителей заряда по проекции

скорости v

в отсутствии и при приложении электрического поля

вдоль оси х приведена на рис.3.11 .

В отличие от вырожденного электронного газа в металле, у ко-

торого в переносе заряда участвуют только электроны, находящие-

ся вблизи уровня Ферми, в полупроводнике все свободные электро-

ны в одинаковой степени участвуют в электропроводности.

Скорость упорядоченного движения "среднего" элек-

трона под действием внешнего электрического поля Е опре-

деляется выражением

−=