Составители:
Рубрика:
Рис.3.11. Функция распреде-
ления носителей заряда по
проекции скорости в отсут-
ствии (сплошная линия) и
при наложении (пунктир)
электрического поля
Таким образом, подвижность электронов в общем случае равна
n
n
m
e
τ
μ
=
. (3.30)
Однако, в отличие от металлов, у которых
F
e
v
v ><
=
λ
τ
, для
невырожденного электронного газа в полупроводнике
><
><
=
nn
e
n
vm
ev
λ
μ
, (3.31)
где
n
n
m
kT
v
π
8
>=<
- средняя скорость теплового движения частиц
невырожденного газа,
><
e
λ
- средняя длина свободного пробега, ν -
число столкновений, приводящих к утрате направленного движения
носителя.
Аналогичным образом можно определить подвижность дырок в
полупроводнике:
><
>
<
=
pp
p
p
vm
ev
λ
μ
. (3.32)
96
Проанализируем зависимость подвижности электронов и дырок в
полупроводнике от температуры.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 94
- 95
- 96
- 97
- 98
- …
- следующая ›
- последняя »
