Составители:
Рубрика:
где
ν
- скорость электрона,
ε
- диэлектрическая проницаемость вещества,
Ze - заряд рассеивающего иона.
Качественно этот результат понятен - чем выше начальная ско-
рость электрона, тем большее число актов рассеяния потребуется для
того, чтобы прекратить движение электрона в заданном направлении.
Длина свободного пробега носителей заряда в n-
полупроводнике при данном механизме рассеяния определяется
только концентрацией примеси (<
λ
> ~ 1/N
d
) и от температуры не за-
висит. Величина подвижности
2/33
~~~ T
v
v
n
n
e
n
><
><
><
ν
λ
μ
.
(3.35)
Таким образом, в области низких температур подвижность носи-
телей заряда в полупроводнике, ограниченная рассеянием на ионизи-
рованных примесях, пропорциональна Т
3/2
.
График температурной зависимости подвижности носителей
заряда в полупроводнике приведен на рис. 3.12.
Видно, что увеличение концентрации примесей ведет, с одной
стороны, к уменьшению подвижности (так как <
λ
> ~ 1/Nd), а с дру-
гой стороны - к расширению области температур, в которой основ-
ным механизмом рассеяния является рассеяние на примесях, то
есть к смещению положения максимума зависимости
μ
(Т) в область
больших температур.
98
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 96
- 97
- 98
- 99
- 100
- …
- следующая ›
- последняя »
