Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 99 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис.3.12. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в примес-

ном полупроводнике с различной концентрацией примеси: N

Учитывая температурные зависимости концентрации сво-

бодных носителей заряда и их подвижности, можно предсказать

температурную зависимость проводимости полупроводника.

В области температур ниже температуры истощения при-

меси (Т < T

) температурная зависимость проводимости

pnnn

epen

(3.36)

определяется температурной зависимостью концентрации носителей

(так как

- является степенной функцией температуры, a n - экспо-

ненциальной) и линеаризуется в координатах ln

- 1/Т. При этом тан-

генс угла наклона получающейся прямой равен

Ed/2k.

В области высоких температур T>Ti, где Тi - температура пе-

рехода к собственной проводимости, зависимость

(Т) так же в ос-

новном определяется зависимостью n(Т), где n = n

. График зависимо-