Составители:
Рубрика:
а б
Рис.3.13. Температурная зависимость проводимости примесного полупроводника с
различными механизмами рассеяния в области истощения примеси: рассеянием
на примесях (а) и рассеянием на фононах (б)
3.4. Поверхностные электронные состояния в полупроводниках
Поверхность полупроводника представляет собой неизбежное
для образца конечных размеров нарушение периодичности кристалличе-
ской решетки. И как при всяком нарушении потенциального перио-
дического поля, в этом случае возникают локальные энергетические
уровни в запрещенной зоне полупроводника.
Существование таких дополнительных поверхностных уровней
было теоретически предсказано И.Е.Таммом, в связи с чем они называ-
ются таммовскими поверхностными уровнями.
Наглядная картина возникновения поверхностных состояний в
ковалентных кристаллах полупроводников была дана У.Шокли.
Ковалентные связи между атомами создаются, как известно, парами элек-
тронов- по одному от каждого из атомов, участвующих в образовании свя-
зи (участок кристаллической решетки такого типа изображен на рис. 3.14).
101
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 99
- 100
- 101
- 102
- 103
- …
- следующая ›
- последняя »