Физические основы полупроводникового материаловедения. Ежовский Ю.К - 100 стр.

UptoLike

сти
σ
(Т) в координатах ln
σ
- 1/Т и в этом случае имеет вид прямой
линии, тангенс угла наклона которой равен E
g
/2k.
В промежуточной области - от температуры истощения примеси до
температуры перехода к собственной проводимости (T
s
<T<Ti) - все
примесные атомы уже ионизированы, однако заметной генерации
собственных носителей еще не наблюдается. Поэтому в этой области
температур концентрация свободных носителей заряда остается пример-
но постоянной и равной N
np
. В силу этого обстоятельства изменение
проводимости полупроводника в указанной области температур
определяется температурной зависимостью подвижности
μ
(Т). В
зависимости от того, какой механизм рассеяния будет доминировать в
этой области температур, проводимость будет либо расти с увеличе-
нием температуры (механизм рассеяния на примесях), либо уменьшаться
с ростом температуры (механизм рассеяния на фононах) (рис.3.13).
Приведенные выше выводы справедливы только для тех примес-
ных полупроводников, у которых концентрация примеси не слишком
велика.
Если же концентрация примеси достаточно высока, то энергетиче-
ские уровни примесных атомов, как отмечалось ранее, образуют примес-
ную зону. Перекрытие примесной зоны с ближайшей разрешенной зо-
ной приводит к распределению электронов по энергиям, аналогичному
металлам. Электронный газ в таких полупроводниках является
вырожденным. Поэтому сильно легированные полупроводники час-
то называют вырожденными полупроводниками.
100