Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 17 стр.

UptoLike

определяя К
эф
. Затем полученные значения экстраполируют к нулевой
скорости процесса. Для удобства вычислений К соотношение (1.9) исполь-
зуют в виде:
D
V
КК
эф
3,2
1
1
lg1
1
lg
δ
=
( 1.10)
Построив график зависимости lg[(1/К
эф
)-1]=f(V) , определяют К из от-
резка, отсекаемого на оси ординат прямой линией. При этом полагают, что
величина
δ
не зависит от V, что, конечно же, не совсем так. Помимо этого,
адсорбция примеси на поверхность растущего кристалла тоже может иг-
рать существенную роль, снижая значения К
эф
. Для примера в табл. 1.2
приведены значения коэффициентов распределения для некоторых приме-
сей в кремнии, германии и антимониде индия.
Т а б л и ц а 1.2
Коэффициенты распределения (К = с
тв
/с
ж
) некоторых примесей в
кремнии, германии и антимониде индия
Примесь Коэффициент распределения К
Si Ge InSb
B
Al
Ga
In
P
As
Sb
Bi
Cu
Au
20
0,1
0,1
1,1
.
1
-3
0,12
0,04
3,0
.
10
-3
4,0
.
10
-5
1,5
.
10
-5
3,0
.
10
-5
0,68
1,6
.
10
-3
4,0
.
10
-3
3,0
.
10
-4
0,04
0,07
2,0
.
10
-3
4,0
.
10
-4
3,0
.
10
-5
0,16
5,4
6,6
.
10
-6
4,9
.
10
-5
- 17 -