Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 16 стр.

UptoLike

()
+
=
D
V
KK
K
K
эф
δ
exp1
, (1.9)
где V — скорость перемещения фронта кристаллизации; D - коэффициент
диффузии примеси в жидкой фазе;
δ
- толщина диффузионного слоя.
Рис.1.3. Распределение примеси у фронта кри-
сталлизации при различных условиях:
К>1(б, в); К<1(г, д);
а - схема направленной кристаллизации (стрел-
кой показано направление движения фронта
кристаллизации);
б, г - равновесные условия;
в, д - кристаллизация с конечной скоростью
(δ−диффузионная длина)
Величина V
δ
/D называется приведенной скоростью и от нее сущест-
венно зависит значение К
эф
. При интенсивном перемешивании, когда
δ
0, или очень малых скоростях кристаллизации, когда V 0, К
эф
К.
Определить равновесный коэффициент распределения можно
следующим образом. Кристаллизацию проводят при различных скоростях,
- 16 -