Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 14 стр.

UptoLike

Рис.1.2. Участки диаграмм состояния «основное вещество (А) – примесь (В в области
разбавленных растворов: а - примесь понижает температуру плавления, б - примесь по-
вышает температуру плавления основного вещества
Коэффициент распределения можно рассчитать по отношению от-
резков горизонтальных линий от оси температур до их пересечения с ли-
ниями солидуса и ликвидуса. При малых концентрациях можно использо-
вать для описания состояние системы законы разбавленных растворов и
считать, что линии солидуса и ликвидуса близки к линейным. Если угол
между ними мал
и концентрации с
тв
и c
ж
близки, то К1. Такое наблюдает-
ся при большом сходстве природы и характера химической связи основно-
го вещества и примеси.
Коэффициенту распределения можно дать термодинамическое тол-
кование. В этом случае его можно определить из химических потенциалов
примеси в твердой (µ
1
) и жидкой (µ
2
) фазах:
==
RTа
a
K
21
2
1
exp
µµ
, (1.8)
где а
1
и а
2
- активности примеси в твердой и жидкой фазах соответственно.
Очевидно, что если К
1 (µ
1
µ
2
), то никакой очистки происходить не бу-
дет. Чтобы решить вопрос о целесообразности использования методов кри-
сталлизационной очистки необходимо знать значения коэффициентов
распределения примесей. На первый взгляд кажется, что проще всего оп-
- 14 -