Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 12 стр.

UptoLike

В практике получения высокочистых металлов широко используется
и карбонильный метод. Обычно при этом методе, как и в предыдущих,
используют химические транспортные реакции, когда образуемое газооб-
разное соединение очищаемого вещества переносится в другую часть сис-
темы, где разлагается с выделением целевого продукта. Примером может
служить очистка никеля через образование легколетучего тетракарбонила
по
реакции:
Ni + 4CO Ni (CO)
4
.
В низкотемпературной области (Т
1
=318-328 К) образуется тетракарбонил
никеля, который переносится в высокотемпературную область (Т
2
=453-
473 К), где идет обратная реакция с выделением более чистого металла.
Перенос вещества в газотранспортных процессах может осуществ-
ляться как потоком газа-реагента (иногда его разбавляют инертным газом),
так и молекулярной диффузией или конвекцией.
Глубокую очистку веществ химическими методами осуществить
практически невозможно, так как в их основе лежат одноступенчатые про-
цессы разделения, которые эффективны только при отделении примесей со
свойствами, существенно отличающимися от свойств основного вещества.
Кроме этого, химические методы разделения смесей всегда сопровожда-
ются загрязнением очищаемого материала используемыми химическими
реагентами.
1.5. Кристаллизационные методы глубокой очистки
1.5.1. Равновесный и эффективный коэффициент распределения
примеси
Особое и первостепенное место в технологии очистки полупровод
-
никовых материалов и металлов занимают методы кристаллизационной
очистки. Создание и развитие электронной техники во многом обязано
именно этим методам.
- 12 -