Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 28 стр.

UptoLike

8. Определить от каких примесей (с каким К
эфф.
) будет проходить очист-
ка германиевого стержня при направленной кристаллизации, если ее про-
водить со скоростью 15 мм/ч. Принять D=10
-5
cм
2
/с , δ=100 мкм.
9. Равновесный коэффициент распределения индия в кремнии К=3
.
10
-4
.
Как изменится эта величина, если направленную кристаллизацию прово-
дить со скоростью 0,01 и 0,1 м/ч. Принять D=10
-4
cм
2
/с , δ=60 мкм.
10. Исходное содержание примесей в кристалле кремния массой 1 кг со-
ставляет 2
.
10
-2
г. Какая часть кристаллического стержня диаметром 27 мм
может быть очищена зонной перекристаллизацией при одноразовом про-
ходе зоной с l=1cм до концентрации примесей не выше 1
.
10
-5
%, если
К
эфф.
=1
.
10
-3
.
11. Сформулируйте основные условия полной взаимной растворимости
компонентов при образовании твердых растворов на основе бинарных по-
лупроводников.
12. Какое количество сурьмы необходимо для выращивания кристалла
германия n-типа с удельным сопротивлением ρ=0,01 Ом
.
м из расплава мас-
сой m = 4 кг в предположении равномерного распределения примеси по
объему кристалла. Коэффициент распределения сурьмы между жидкой и
твердой фазами К=3
.
10
-3
, плотность расплава d=5600 кг/м
3
, подвижность
электронов µ=0,38 м
2
/В
.
с.
13. Определить количество бора необходимое для выращивания кри-
сталла германия р-типа с удельным сопротивлением ρ=0,05 Ом
.
м из рас-
плава массой m=1кг в предположении равномерного распределения при-
меси по объему кристалла. Коэффициент распределения бора между жид-
кой и твердой фазами К=20, плотность расплава d=5600 кг/м
3
, подвиж-
ность дырок µ=0,19 м
2
/В
.
с.
14. Оценить удельное сопротивление при 300 К кремния легированного
сурьмой, если в 1 кг материала содержится 22 мг сурьмы, подвижность
электронов 0,19 м
2
/В
.
с. Примесь распределена равномерно.
- 28 -