Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 32 стр.

UptoLike

Величина свободной энергии образования зародыша имеет максимум,
когда скопление адсорбированных атомов достигнет критического разме-
ра. Такой зародыш называется критическим и ему соответствует радиус r*.
Это означает, что при r<r* самопроизвольное протекание процесса
(уменьшение
G) способствует уменьшению r, то есть зародыш исчезает, а
при r>r* самопроизвольное протекание процесса будет способствовать его
росту, то есть образованию новой (твердой) фазы; r* - и есть радиус кри-
тического зародыша. Иными словами: убыль хотя бы одного атома из кри-
тического зародыша способствует его разрушению, в то время как добав-
ление
одного атома - стабилизации и росту.
Рис. 2.1. Полная свободная энергия образования группировки атомов в зависимости от
их размеров при различных пересыщениях (γ
1
>γ
2
3
)
Рассчитать величину r* можно из условия:
d(
G)/dr = 8
π
r
*
σ
s
- 4
π
g
V
= 0
- 32 -