Составители:
Рубрика:
Откуда
V
s
g
r
∆
=
σ
2
*
( 2.7)
С учетом (2.6) можно получить выражение для расчета радиуса критиче-
ского зародыша по пересыщению:
γ
σ
ln
2
*
RT
V
r
ms
=
. (2.8)
Энергию образования критического зародыша (
∆
G
*
) можно опреде-
лить из соотношения (2.5), подставив в него значения радиуса критиче-
ского зародыша (r
*
)
)ln(3
16
3
16
3
2
3
γ
πσπσ
RT
V
g
G
m
V
==∆
∗
. (2.9)
Гетерогенное зарождение, в отличие от гомогенного, уже имеет по-
верхность раздела фаз - подложку. Матрица-подложка значительно снижа-
ет энергию образования зародыша и ускоряет зарождение твердой фазы.
Свободная энергия гетерогенного зарождения кристалла зависит от харак-
тера связи пленка - подложка, то есть от контактного угла смачивания ме-
жду материалом зародыша и
подложкой или поверхностных энергий гра-
ниц раздела: конденсат-подложка (
σ
c-s
), конденсат-пар (
σ
c-v
) и подложка-
пар (
σ
s-v
). Контактный угол в этом случае определяется как:
vc
scvs
−
−−
−
=
σ
σ
σ
θ
cos
. (2.10)
Теория гетерогенного зародышеобразования в ее классическом термо-
динамическом представлении была рассмотрена Фольмером, который по-
лучил выражение для изменения свободной энергии критического заро-
дыша куполообразной формы (
∆
G
g
) как функцию контактного угла
θ
и
энергии гомогенного зарождения
∆
G:
(
)
(
)
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
−+
∆=∆
4
cos1cos2
2
θθ
GG
g
. (2.11)
- 33 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »
