Составители:
Рубрика:
твердой фазы большее влияние оказывает диффузия, обусловленная вязко-
стью расплава. В этом случае скорость зарождения определяется выра-
жением:
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
∆+∆
−=
RT
exp
D
*
QG
nI
Dl
ν
, ( 2.14)
где Q
D
— энергия активации диффузии; п - концентрация атомов или моле-
кул в расплаве; ν
D
- частота, с которой атомы или молекулы пересекают фа-
зовую границу раздела.
Очевидно, что для получения монокристалла необходимо создавать ус-
ловия, отвечающие малой скорости зародышеобразования, то есть пода-
вить образование множества центров кристаллизации. И одним из таких
путей является снижение пересыщения, способствующее увеличению кри-
тического зародыша.
2.2. Кинетика и механизм роста кристаллов
Теория роста кристаллов делится на теорию роста совершенных кри-
сталлов и теорию роста несовершенных кристаллов. Молекулярно-
кинетическая (термодинамическая) теория роста совершенных кристаллов
исходит из предпосылки, что самая большая вероятность процесса роста
имеется на тех местах поверхности кристалла, в которых закрепление
атома или молекулы
дает наибольший энергетический выигрыш. Поверх-
ность кристалла не является атомно-гладкой, а содержит ступени, изломы
и т. д. Поэтому была предложена модель поверхности растущего
кристал-
ла (рис. 2.3).
Рассмотрим основные положения этой модели на примере атомного
кристалла с простейшей кубической решеткой. Атомы (или молекулы дл
я
молекулярных кристаллов) изобразим в виде кубиков. В зависимости от
положения частицы на поверхности энергия взаимодействия ее с кристал-
- 35 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
