Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 36 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

лической поверхностью будет различна, и ее величина определяется чис-

лом связей с соседними атомами.

Рис. 2.3. Схема растущей по-

верхности кристалла по молеку-

лярно-кинетической теории Кос-

селя-Странского. Положения

атомов: 1- в газовой фазе; 2- на

поверхности; 3, 3а - на ступеньке;

4 -в изломе ступеньки

Очевидно, что наиболее

выгодно положение 4, однако прямое попадание атома из газовой фазы в

угол ступени (переход 1→4) маловероятно, и большая часть атомов будет

адсорбироваться в другие положения, например в 2 (1→2). При этом атом

способен десорбироваться (2→1), однако при наличии пересыщения этим

процессом можно пренебречь. Атом в положении 2 теряет одну степень

свободы и имеет возможность только двумерного движения - поверхност-

ной диффузии. В этом случае наиболее вероятно перемещение атомов с

переходом их на ступеньку в положение 3 или 3а (2→3, 3а) с потерей еще

одной степени свободы и их дальнейшая одномерная диффузия в пределах

ступеньки с закреплением в положении 4. В этом случае атом теряет все

три степени свободы и встраивается в кристаллическую решетку. Обрат-

ные процессы в условиях пересыщения маловероятны и протекают, на-

пример, при испарении. Таким образом, скорость роста грани будет опре-

деляться адсорбцией атомов и их поверхностной диффузией на этой плос-

кости. Когда ступень достигнет края растущей грани, ее рост должен ос-

тановиться и для его продолжения необходимо образование новой ступе-

- 36 -