Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 38 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

нять атом на изломе (в положении 3, см. рис. 2.3). Поскольку концентра-

ция точек роста (ступеней, изломов) на вицинальных гранях значительно

больше чем на сингулярных, их скорость роста будет выше. Несингуляр-

ные грани растут параллельно самим себе за счет прямого присоединения

отдельных атомов, и их скорость роста будет еще выше.

Кроме рассмотренных факторов на скорость роста кристаллических

граней влияет плотность атомов на этой грани (ретикулярная плотность) и

скорость поступления атомов на нее. Очевидно, что грани с малой ретику-

лярной плотностью растут быстрее, поскольку для их построения требует-

ся меньше вещества. Для сравнительной оценки скорости роста граней не-

обходимо учитывать как ее тип ( см. рис. 2.4), так и ее ретикулярную плот-

ность.

Рис. 2.4. Схематическое изо-

бражение профиля различных

граней кубического кристалла

Несложно показать (рис. 2.5), что, если кристаллический зародыш

имеет различные грани, то при одинаковом поступлении атомов на их

поверхность медленно растущие грани ab и cd вытесняют быстро расту-

щую грань bc. Это обусловлено тем, что в процессе роста кристалл сохра-

няет равновесную форму, определяемую законом постоянства двумерных

углов (см. рис.2.5). Таким образом, огранка кристалла, его форма будут

- 38 -