Составители:
Рубрика:
ность, достигает 10
4
см
-2
. Поэтому рост такой поверхности происходит во
многих точках одновременно и микрорельеф ее оказывается не гладким.
Рис.2.6. Схема, отображающая дислокационный рост кристаллической грани
1- дислокационная ступенька; 2 , 3 – этапы развития дислокационной ступеньки;
4 – образование новой дислокационной ступеньки, параллельной начальной
По дислокационной теории рассчитанные условия и характеристики
роста кристалла достаточно хорошо согласуются с экспериментальными
результатами, что в значительной степени определило успехи в прогно-
зировании условий выращивания совершенных монокристаллов.
2.3. Методы выращивания монокристаллов
Получение монокристаллов полупроводниковых и целого ряда других
материалов, используемых в электронной технике, осуществляют в основ-
ном методами, которые делят на две группы: кристаллизация из расплава и
из газовой фазы.
Методы выращивания из расплава монокристаллов элементарных и
сложных веществ имеют ряд преимуществ. Это высокая скорость роста,
достаточно хорошая воспроизводимость свойств и
возможность получения
- 40 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »
