Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 42 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

температур в экспериментальной установке и приводит к переохлаждению

жидкости вблизи фронта кристаллизации, так как температура плавления

слоя оказывается выше фактически существующего распределения темпе-

ратуры (рис. 2.7). В переохлажденной жидкости могут спонтанно возни-

кать новые центры кристаллизации, в результате чего велика вероятность

роста поликристалла. Во избежание этого необходимо создавать как мож-

но более

крутой градиент температур (рис.2.7, б).

Рис.2.7. Кристаллизационное переохлаждение (а) и способ его устранения (б)

При выращивании монокристаллов используют ряд технических прие-

мов, например, установкой теплового экрана, что позволяет ликвидировать

или значительно снизить влияние указанных недостатков.

Выращивание монокристаллов может осуществляться как с монокри-

сталлической затравкой, так и без нее. В этом случае используют капил-

ляр, который способствует развитию кристаллического зародыша в одном

направлении.

- 42 -

Все методы выращивания монокристаллов из расплава можно условно

разделить на три группы: направленная кристаллизация в контейнере; вы-

тягивание кристалла из расплава и рост кристалла на «пьедестале». Про-

цесс может осуществляться в инертной среде, в вакууме или в атмосфере

какого-либо газа. В последнем случае выращивание монокристалла прово-