Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 39 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

определяться наиболее медленно растущими гранями, что хорошо под-

тверждается экспериментально.

Рис. 2.5. Вытеснение быстро растущей

грани полупроводниковых материа-

лов медленно растущими

ab и cd

Отмеченные ранее недостатки термодинамической теории были в

значительной степени устранены в теории роста несовершенных кри-

сталлов - дислокационной теории, которая была выдвинута Франком и

развита Бартоном и Кабрерой. Эта теория объединяет классические пред-

ставления о росте кристаллов. Однако дислокационная теория исходит из

предпосылки о наличии дислокационной ступеньки в кристаллическом

зародыше, которая перемещается за счет присоединения атомов парал-

лельно самой себе (рис. 2.6). Вся кинетика роста определяется движени-

ем ступенек, поэтому нет необходимости в появлении новых двумерных

зародышей. В результате последовательного роста ступенек возникает

новая, параллельная начальной, ступенька и так же ориентированная, но

находящаяся на более высоком уровне. При таком механизме роста полно-

стью заполненных ступеней нет, присоединение частиц происходит по спи-

рали. Спираль образуется совокупностью ступеней и закреплена в месте

выхода дислокации. Дислокационный рост хорошо подтверждается визу-

альными наблюдениями в микроскопе. Для образцов с достаточно со-

вершенной структурой плотность дислокаций, выходящих на поверх-

- 39 -