Составители:
Рубрика:
ход от конгруэнтного плавления, характерного, например, для InSb, к ин-
конгруэнтному (GaP).
Рис. 3.2. Изменение вида изобарного сечения диаграммы состояния для соедине-
ний типа A
III
B
V
с увеличением упругости паров компонента B
V
(Р
1
< Р
2
< Р
3
<Р
4
)
Увеличение давления паров компонента B
V
над расплавом может при-
вести к обратному переходу. Однако создание высоких давлений над рас-
плавом осложняет процесс выращивания кристалла. Так, например, если
для антимонида индия упругость паров сурьмы при температуре плавле-
ния оценивается около 10
-5
атм, то для фосфида индия давление пара фос-
фора составляет уже около 25 атм. Поэтому технология получения фосфи-
дов гораздо сложнее технологии получения антимонидов. Арсениды зани-
мают промежуточное положение. Во всех случаях выращивание кристал-
лов осуществляют из заранее очищенного сырья.
- 58 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 56
- 57
- 58
- 59
- 60
- …
- следующая ›
- последняя »
