Составители:
Рубрика:
Некоторые электрофизические свойства кремния. По многим физи-
ческим свойствам кремний близок к германию, но имеет большую ширину
запрещенной зоны, которая при абсолютном нуле имеет значение
E
мпературная зависимость ширины запрещенной зоны имеет
ллическом кремнии при комнатной
и всех
транзи-
сторо
м
g
=1,21эВ. Те
вид: E
g
=1,21 – 3,6·10
-4
ּТ (3.3)
Структура зон кремния (см. рис.3.1) аналогична германию. Подвиж-
ность электронов и дырок в монокриста
температуре имеет значение µ
n
=1500 см
2
/Вּс; µ
p
=480 см
2
/Вּс. Как и в
германии, в кремнии существует два типа дырок: легкие с т
л
* = 0,16 и
тяжелые m
т
*=0,49. Поведение примесей в кремнии аналогично германию,
хотя у кремния более выражено увеличение энергии ионизации акцептор-
ных примесей сверху вниз по Периодической системе.
Кремний основной материал современной полупроводниковой и элек-
тронной техники. Он используется при изготовлении практическ
существующих в настоящее время приборов электронной техники (
в, тиристоров, диодов и др
.) и интегральных икросхем. Полупровод-
никовые фотоэлементы на кремнии имеют КПД до 15%. Основное потреб-
ление кремния – технология интегральных схем и микропроцессорной тех-
ники. Интегральные схемы на кремнии являются в настоящее время основ-
ными компонентами вычислительной техники и автоматики.
3.4. Полупроводниковые соединения А
III
B
V
Полупроводниковые соединения типа А
III
B
V
образуются в результате
взаимодействия элементов III группы (В, Al, Ga, In) и V группы (N, Р,
A, Sb) Периодической системы. Таллий и висмут не образуют соединений
рассматриваемого типа.
Соединения типа A
III
B
V
кристаллизуются в структуру сфалерита. При
этом каждый атом A
III
соединен с четырьмя атомами B
V
и наоборот ка-
ждый атом B
V
тетраэдрически окружен атомами А
111
.
- 56 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 54
- 55
- 56
- 57
- 58
- …
- следующая ›
- последняя »
