Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 55 стр.

UptoLike

Трихлорсилан получают обработкой кремниевого сырья хлористым водо-
родом при температуре 350-400 °С. Преимущество этой технологии -
большая чистота получаемого кремния, так как трихлорсилан очищается
значительно легче тетрахлорида кремния.
3. Термическое разложение (пиролиз) моносилана. Исходный моно-
силан получают из тетрахлорида с помощью литий-алюминий-гидрида:
SiCl
4
+LiAlH
4
SiH
4
+ LiCl+AlCl
3
или
ной ректификацией и подвергают
разложению при температур ество этой технологии -
ывоопасность моносилана.
пиролизом триэтоксисилана в присутствии металлического натрия
SiH(ОС
2
Н
5
)
4
SiH
4
+ Si(ОС
2
Н
5
)
4
.
Моносилан очищают низкотемператур
е 600-700 °С. Преимущ
наилучшая чистота получаемого кремния; недостатки - высокая горючесть
и взр
ли пиролиз) кристалли-По всем трем технологиям (восстановление и
ческий кремний получаю ьных установках, где он т в однотипных специал
осаждается на нагреваемых прямым пропусканием тока тонких кремние-
вых стержнях.
Полученный любым из указанных способов кремний в дальнейшем
очищается безтигельной зонной плавкой и поступает на выращивание мо-
нокри
со
структурой алмаза. П отность кристаллов
ий
кремний - довольно ному слою оксида
толщ
сталлов по методу Чохральского.
Кремний, как и германий, образует твердые ковалентные кристаллы
остоянная решетки с=0,543 нм, пл
2,32 г/см
3
. Он несколько темнее и прочнее германия. Кристаллическ
инертное вещество благодаря плот
иной до 4,0 нм. Для кремния характерно большое сродство к фтору и
кислороду. Хорошо растворяется кремний только в смеси HNO
3
+HF по ре-
акции Si + HNO
3
+ HF H
2
SiF
6
+ NO +H
2
O,
которая лежит в основе действия многих травителей для кремния.
- 55 -