Составители:
Рубрика:
лупроводниковой электроники. Однако в последнее время он интенсивно
вытесняется кремнием, но большая подвижность носителей делает его по-
ка незаменимым при изготовлении высокочастотных приборов, а высокие
уровни легирования – при создании переключающих приборов силовой элек-
троники.
3.3. Получение и основные свойства кремния
Преимущество кремния по сравнению с германием - большая ширина
запрещенной зоны, то есть возможность работы приборов при более вы-
сокой температуре. Начиная с конца 1950-х гг., кремний становится веду-
щим полупроводниковым материалом благодаря успешному развитию ме-
тодов зонной плавки для очистки полупроводников. По распространенно-
сти он втор я кремния ой элемент после кислорода. Сырьем для получени
служит чистый диоксид кремния, который восстанавливают углеродом в
печах при температуре около 1700 °С. Однако чаще кремний получают в
виде сплава с железом (ферросилиций) или магнием. Ввиду того, что очи-
стка технического кремния очень сложна, его обычно переводят в легколе-
тучие производные (SiCl ; SiHCl , SiH ), которые подвергают глубокой
4 3 4
ректификационной очистке. Из указанных соединений получают кремний
сырец. Соответственно существуют три способа его получения.
1. Восстановление тетрахлорида кремния водородом. Тетрахлорид по-
лучают сплава кремния с железом или магнием. Суммар- хлорированием
ная реакция восстановления терахлорида
SiСl
4
+ Н
2
→ Si + НCl
протекает при 1050 – 1100 °С и ее проводят в 50-кратном избытке водоро-
да.
2. Восстановление трихлорсилана водородом:
SiHCl
+H → Si + HCl.
3 2
- 54 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »
