Квантовая и оптическая электроника. Практикум. Евтушенко Г.С - 79 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

79
вать окуляры кратностью 7х, 10х и 15х. На рис. 6.4. в качестве примера
показано изображение дифракционной решетки при использовании
окуляра кратностью 10х. По полученному изображению можно рассчи-
тать увеличение проекционного микроскопа. Для дифракционной ре-
шетки разрешением 600 штрихов на миллиметр расстояние между дву-
мя соседними штрихами d
штриха
будет равно
штриха
1 мм
d1,67 мкм
600
==
Расстояние между соседними штрихами, измеренное по изображению,
полученному при использовании окуляра 10х, составило 12 мм. Следо-
вательно, увеличение равно:
изм
штриха
d12 мм
K = 7500
d1,6 мкм
≈≈
.
Рис. 6.4. Изображение дифракционной решетки при использовании окуляра
кратностью 10х
В качестве других объектов наблюдения могут быть фрагменты пе-
чатных плат (желательно с плотной компоновкой), а также мелкие тек-
стовые надписи, например на интегральных микросхемах.
При исследовании возможностей лазерных мониторов предлагается
реализовать два режима работы:
1. с внешним источником фоновой засветки (рис. 6.2,
а);
2. в качестве источника фоновой засветки использовать собственное из-
лучение объекта (рис. 6.2,
б).
В первом случае в роли объекта предлагается использовать мелкую
сетку, в качестве фоновой засветки – пламя свечи. Во втором случае
предлагается использовать бенгальскую свечу, при этом луч следует
фокусировать в центральной части свечи, как показано на рис. 6.5.

Страницы