ВУЗ:
Составители:
локаций по берегу трещины до зоны двойников мало отличается от исходной, замеренной вдали от
трещины и составляет 5·10
7
см
–2
. С увеличение числа пересеченных двойников плотность дислокаций
повышается до (6…8)10
8
см
–2
, а в местах остановок достигает порядка 10
9
см
–2
и выше. Плотность же
дислокаций в деформированной области в участках пересечения двойников до разрушения не превыша-
ет 10
8
см
–2
. Плотность дислокаций определяли обычным металлографическим методом.
9.3. Определение величины, знака и
характера распределения остаточных упругих
напряжений около двойниковых прослоек
в кремнистой стали
Общеизвестен факт существования около механически созданных двойников полей упругих напря-
жений [15]. Последние обусловлены переходной зоной – зоной аккомодации и особенно значительны у
двойников клиновидной и линзовидной форм.
Для выяснения влияния этих напряжений на кинетику развития разрушающей трещины исследова-
ли знак, величину и характер распределения напряжений в окрестности двойников. Использовали метод
фотоупругих покрытий [229]. Сохраняя все преимущества метода фотоупругости, он позволяет опреде-
лять распределение напряжений непосредственно на объекте при помощи устройства для фотоупругих
испытаний отраженного типа. Применение этого метода предусматривает нанесение на поверхность
образца тонкого слоя оптически активного покрытия.
9.3.1. Нанесение тонких фотоупругих покрытий
Оптически активный композит, приготовленный из эпоксидной смолы ЭД-6 с отвердителем (малеи-
новый ангидрид в количестве 33 % от веса смолы) и пластификатором (дибутилфталат – 12 % от веса
смолы) в горячем состоянии (363 К) наносили на обезжиренную полированную поверхность образца.
Толщина слоя должна быть одного порядка или меньше размеров изучаемой микрозоны. Для этого
образец с покрытием помещали между полированными стеклами и зажимали в струбцину. Фотоуп-
ругое покрытие в течение 10 – 12 часов полимеризовалось в сушильном шкафу при температуре ~400
К. Для предотвращения прилипания покрытия к калибровочным стеклам, их поверхность предвари-
тельно обрабатывали 3 % раствором триацетатцеллюлозы в хлористом метилене или парами диме-
тилтрихлорсилана. После полимеризации покрытия стекла убирали, а образец просматривали в поля-
ризационном микроскопе для контроля остаточных напряжений. Как правило, при медленном охла-
ждении (15…20 К/час) просветленных участков не наблюдали. Напряжение в покрытии успевали ре-
лаксировать. Толщина фотоупругого покрытия при этом составляла 10…15 мкм.
9.3.2. Установка для определения остаточных упругих напряжений
около двойниковых прослоек
Схема и общий вид установки приведены на рис. 9.6.
Оптическую и фотоэлектрическую части установки монтировали на базе микроскопа МБИ-1 (1)
с использованием осветлителя СП-12 (2). Основным регистрирующим элементом установки служил
фотоэлектронный умножитель ФЭУ-27 (3), укрепленный при помощи насадки МФН-12 (4).
Применение ФЭУ намного повышают разрешающую способность метода [182]. Пред катодом фо-
тоумножителя устанавливали диафрагму 5, дающую возможность вырезать из общей фотоупругой кар-
тинки участки размером до 5 мкм. Этим достигали высокой локальности метода. Возникшее по воздей-
ствием механических напряжений просветление покрытия улавливается ФЭУ, преобразуется в электри-
ческий сигнал и подается на гальванометр 6. В состав установки входят высоковольтный блок 7 и ста-
билизатор напряжения питания 8.
Двойники на образцах с покрытием получали тем же способом – взрывом ВВ. Подрыв проводили
на поверхности без фотоупругого покрытия.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 124
- 125
- 126
- 127
- 128
- …
- следующая ›
- последняя »
